Halbleiter

Power-Talk Teil 3

Geopolitische Herausforderungen

Aus Sicht der Leistungshalbleiter-Branche wäre es sinnvoller, in Europa Fabs mit Strukturbreiten über 42 nm mit EU-Mitteln zu fördern. In jedem Fall sind die aufgewendeten EU-Mittel zu gering, um im globalen Wettlauf mithalten zu können, so Thomas Grasshoff, Ole Gerkensmeyer und Alfred Hesener.

Infineon sieht SiC-Zukunft bei Trench

»Das Gesamtpaket muss den Einsatzanforderungen entsprechen«

Neben heutigen Applikationen in den Bereichen Automotive und Industrie wird SiC nach...

Power-Talk Teil 1

Wachstumstreiber SiC und GaN

Auch wenn Thomas Grasshoff, Semikron-Danfoss, Alfred Hesener, Navitas und Ole...

Im Gespräch: Jean-Christoph Eloy, Yole

Interview mit Jean-Christophe Eloy, CEO der Yole Gruppe

Werden in Zukunft weitere, namhafte Player in den SiC-Markt einsteigen? Werden die 40...

Siemens/Intel

Effizienz und Nachhaltigkeit in der Halbleiterfertigung steigern

Siemens und Intel haben ein Memorandum of Understanding (MoU) zur Zusammenarbeit...

Analog Devices

Rekordzahlen vorgelegt

Analog Devices (ADI) hat im Geschäftsjahres 2023 einen Umsatz von 12,3 Mrd. Dollar...

Neue Fab in Arizona

Amkor: 2 Mrd. Dollar für Advanced Packaging

Amkor Technology will in Arizona 2 Mrd. Dollar investieren, um eine...

SiC-Technologie für schnelles Schalten

Überlegene Schaltleistung und Leistungskennzahlen

Onsemi hat seine SiC-MOSFETs der EliteSiC-M3S-Technologie auf die Anforderungen...

Trendumkehr

DRAM-Preise steigen wieder – plus 18 %

Erstmals seit acht Quartalen werden die DRAM-Vertragspreise wieder steigen: TrendForce...

Milliarden-Investitionen für SiC

Der Wettlauf hat längst begonnen

Natürlich wird die Automobilindustrie bis 2030 weiterhin der größte Abnehmer von...